Необходимы книги и статьи о полевых транзисторах на гетероструктурах, а также желательно вообще о физике полупроводниковых гетероструктур.
Ответ:
Здравствуйте. Предлагаем источники по интересующей Вас теме. Рекомендуем обратить внимание на запрос № 22364 из Архива выполненных справок.
При поиске использовались: Электронные каталоги РГБ, РНБ, Владимирской областной научной библиотеки; Электронная научная библиотека eLibrary; поисковые системы Yandex, Google.
1.Гарбер Г. З. Квазигидродинамическое моделирование гетероструктурных полевых транзисторов // Радиотехника и электроника. – 2003. – Т. 48, № 1. – С. 125-128.
2.Гарбер Г. З. Метод расчета параметров малосигнальной эквивалентной схемы крайне высокочастотных гетероструктурных полевых транзисторов // Там же. – 2005. – Т. 50, № 7. – С. 892-896.
3.Калинин Б. В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN : автореф. дис. ... канд. техн. наук / Калинин Борис Вячеславович ; [С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]. – СПб., 2012. – 17 с. ; То же [Электронный ресурс] // Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) : [сайт]. – [СПб., 2012]. – URL: http://www.eltech.ru/assets/files/nauka/dissertacii/2012/Avtoreferat-KalininBV.pdf. (19.03.2015).
4.Киселева Е. В. Анализ транспорта электронов в гетероструктурах квазибаллистических полевых транзисторов с учетом топологии кластеров радиационных дефектов : дис. ... канд. физ.-мат. наук / Киселева Екатерина Валерьевна ; Ин-т физики микроструктур РАН. – Н. Новгород, 2006. – 155 с. ; Оглавление; Введение; Заключение; Список лит. [Электронный ресурс]. – URL: http://www.dissercat.com/content/analiz-transporta-elektronov-v-geterostrukturakh-kvaziballisticheskikh-polevykh-tranzistorov (19.03.2015).
5.Климова А. В. Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей / А. В. Климова, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 113-118 ; То же [Электронный ресурс] // The journals published by Ioffe Institute : [сайт]. – [Б. м., 2009]. – URL: http://journals.ioffe.ru/ftp/2009/01/page-113.html.ru (19.03.2015).
6.Ковалев А. Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / М-во образования и науки РФ, Федеральное гос. авт. образовательное учреждение высш. проф. образования "Нац. исслед. технологический ун-т "МИСиС". – М. : Изд. дом МИСиС, 2011. – 363 с.
7.Козловский Э. Ю. Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : дис. ... канд. техн. наук / Козловский Эдуард Юрьевич ; [С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т (ЛЭТИ)]. – Вел. Новгород, 2013.
8.Коколов А. А. Построение моделей гетероструктурных полевых транзисторов и автоматизированное проектирование монолитных СВЧ усилителей мощности на основе большесигнальных параметров рассеяния и нагрузочных диаграмм : дис. ... канд. техн. наук / Коколов Андрей Александрович ; [Томск. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники (ТУСУР) РАН]. – Томск, 2013. – 263 с.
9.Нелинейная модель полевых транзисторов с субмикронным затвором на гетероструктурах с селективным легированием / В. А. Красник [и др.] // Электрон. техника. Сер. 1, СВЧ-техника. – 2007. – № 4 (492). – С. 25-28 ; То же [Электронный ресурс] // НАУКАIНФОРМ : [сайт]. – [Б. м., 2007]. – URL: http://naukainform.kpi.ua/CriMiCo/Crimico/2007/069_070.pdf. (19.03.2015).
10.Оценка области нелокального тепловыделения в мощных гетероструктурных полевых транзисторах / П. В. Бережнова [и др.] // Электрон. техника. Сер. 1, СВЧ-техника. – 2007. – № 4 (492). – С. 21-24.
11.Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием / В. М. Лукашин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48, вып. 5. – С. 684-692 ; То же [Электронный ресурс] // Research.Gate : [сайт]. – [Berlin, Cambridge, 2014]. – URL: http://www.researchgate.net/publication/259761527_________-_ (19.03.2015).
12.Соловьев Ю. В. Полевые транзисторы на основе гетероструктур AlGaN/GaN, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. В. Волков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". – 2004. – Т. 30, вып. 9. – С. 63-67 ; То же [Электронный ресурс] // The journals published by Ioffe Institute : [сайт]. – [Б. м., 2004]. – URL: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2004/09/page-63.html.ru (19.03.2015).
