Ответ:
Здравствуйте. Предлагаем источники по интересующей Вас теме.
При поиске использовались: Электронные каталоги РГБ, РНБ, Владимирской областной научной библиотеки; Электронная научная библиотека eLibrary; поисковые системы Yandex, Google.
1.Бирюков В. Н. Оценка точности определения параметров моделей полевого транзистора // Изв. высш. учеб. заведений. Электроника. - 2010. - № 5 (85). - С. 22-27.
2.Бреднев А. Силовые полевые транзисторы STMicroelectronics // Соврем. электроника. - 2010. - N 4. - С. 40-45 ; То же [Электронный ресурс]. – URL: http://www.soel.ru/cms/f/?/432559.pdf. (03.03.2015)
3.Воронков Э. Н. Полевые транзисторы : учеб. пособие по курсу "Твердот. электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника". - М. : Изд-во МЭИ, 2004 (Тип. ЦНИИ Электроника). - 59 с.
4.Дьяконов В. Мощные полевые транзисторы : история, развитие и перспективы. Аналит. обзор // Силовая электроника. - 2011. - Т. 3, № 31. - С. 18-28 ; То же [Электронный ресурс]. – URL: http://www.power-e.ru/2011_3_18.php (03.03.2015).
5.Игнатов А. Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / Федеральное агентство связи, Гос. образовательное учреждение высш. проф. образования "Сибирский гос. ун-т телекоммуникаций и информатики" (ГОУ ВПО "СибГУТИ". - Новосибирск : СибГУТИ, 2008. - 319 с.
6.Каримов А. В. Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, О. А. Абдулхаев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, № 4. - С. 498-503 ; То же [Электронный ресурс] // The journals published by Ioffe Institute : [сайт]. – [СПб., 2014]. – URL:
http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/page-498.html.ru (03.03.2015).
7.Маликов С. В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова ; Междунар. ин-т компьютерных технологий, Липецкий фил. - Липецк : ЛФ МИКТ, 2012. - 68 с.
8.Мощные гетероструктурные полевые транзисторы, работающие при нулевом смещении на затворе / В. М. Лукашин [и др.] // 24-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2014), 7-13 сентября 2014 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конф. : в 2 т. - Севастополь, 2014. - Т. 1, секц. 1/1 : Полупроводниковые приборы и интегральные схемы СВЧ. - С. 79-80 ; То же [Электронный ресурс]. – URL: http://mwelectronics.ru/2014/Oral/3/O03_10_PashkovskiiAB_Moshchnye_geterostrukturnye.pdf. (03.03.2015).
9. Полевые транзисторы со смещенным затвором / В. Г. Лапин [и др.] // Электрон. техника. Сер. 1, СВЧ-техника. - 2011. - № 4 (511). - С. 59-71.
10.Романов В. П. Физические процессы в полупроводниках, р-n-переходе, биполярном и полевом транзисторах : учеб. пособие / М-во образования Рос. Федерации. Моск. гос. ин-т электрон. техники (Техн. ун-т). - М. : МИЭТ, 2001. - 63 с.
11.Туннельные полевые транзисторы на основе графена / Д. А. Свинцов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, № 2. - С. 244-250.
12.Хомяков А. Н. Полуаналитическая модель полевого транзистора с тонким каналом /А. Н. Хомяков, В. В. Вьюрков // Микроэлектроника. - 2009. - Т. 38, № 6. - С. 436-448.
13.Эволюция технологии и материалов тонкопленочных полевых транзисторов / Е. Ю. Плотникова [и др.] // Изв. С.-Петерб. гос. электротехн. ун-та ЛЭТИ. - 2014. - № 7. - С. 84-93.
14.Ямпурин Н. П. Транзисторы : (Функционирование, схемы, применение) : учеб. пособие для студентов, обучающихся по направлениям 551100 и 654300 / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов ; М-во образования Рос. Федерации. Нижегор. гос. техн. ун-т. - Н. Новгород : Нижегор. гос. техн. ун-т, 2001. - 114 с.
[Владимирская областная универсальная научная библиотека]
